儀器設備與使用費率

儀器使用費率

儀器設備介紹

霍爾量測儀:用來量測薄膜樣品電阻率、載子濃度、載子極性以及載子遷移率

霍爾量測儀:用來量測薄膜樣品電阻率、載子濃度、載子極性以及載子遷移率

膜厚測定儀:高敏感度的測量樣本表面,可測量粗糙度、波紋度和高低差

膜厚測定儀:高敏感度的測量樣本表面,可測量粗糙度、波紋度和高低差

電子槍介電質鍍膜機:光學鍍膜

電子槍介電質鍍膜機:光學鍍膜

電子束金屬鍍膜機:為一電子束蒸鍍系統,使用電子束作為蒸鍍源,有四個坩堝靶位,主要蒸鍍Al,Au,Ag,Ti,Ta,Cu,Pt,Ni 等金屬

電子束金屬鍍膜機:為一電子束蒸鍍系統,使用電子束作為蒸鍍源,有四個坩堝靶位,主要蒸鍍Al,Au,Ag,Ti,Ta,Cu,Pt,Ni 等金屬

感應藕荷電漿反應式離子蝕刻機:蝕刻三五族半導體材料

感應藕荷電漿反應式離子蝕刻機:蝕刻三五族半導體材料

紫外光臭氧半導體清潔系統:為半導體黃光製程完成後想要清潔剩餘光阻之輔助機台

紫外光臭氧半導體清潔系統:為半導體黃光製程完成後想要清潔剩餘光阻之輔助機台

真空金屬濺鍍機:從事金屬膜濺鍍製程,在直徑2吋的silicon wafer上鍍各種金屬薄膜,可完成薄膜單鍍與共鍍

真空金屬濺鍍機:從事金屬膜濺鍍製程,在直徑2吋的silicon wafer上鍍各種金屬薄膜,可完成薄膜單鍍與共鍍

氧化物濺鍍機:通入氧氣(O2)或氮氣(N2)濺鍍 SiO2、IGZO、ITO 等

氧化物濺鍍機:通入氧氣(O2)或氮氣(N2)濺鍍 SiO2、IGZO、ITO 等

研磨機:是半導體器件製造工藝中的一種技術,使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的矽晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理

研磨機:是半導體器件製造工藝中的一種技術,使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的矽晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理

金線銲線機:利用線徑15-50微米的金屬線材將晶片(chip)及導線架(lead frame)連接起來的技術,使微小的晶片得以與外面的電路做溝通

金線銲線機:利用線徑15-50微米的金屬線材將晶片(chip)及導線架(lead frame)連接起來的技術,使微小的晶片得以與外面的電路做溝通

兩段式旋轉塗佈機:光阻液之塗佈

兩段式旋轉塗佈機:光阻液之塗佈

快速升溫退火機:進行材料快速升溫退火製程,可在真空、空氣及氮氣等不同環境下進行熱退火處理

快速升溫退火機:進行材料快速升溫退火製程,可在真空、空氣及氮氣等不同環境下進行熱退火處理

光罩對準機:各種元件之對準曝光,對準解析度為um等級

光罩對準機:各種元件之對準曝光,對準解析度為um等級

半導體元件量測系統:在確切的電流數值內,執行精確的電流-電壓(IV)量測半導體晶片

半導體元件量測系統:在確切的電流數值內,執行精確的電流-電壓(IV)量測半導體晶片

太陽能電池測試系統:使用本系統可量測太陽能電池之IV特性曲線,進而換算其元件之光轉換效率

太陽能電池測試系統:使用本系統可量測太陽能電池之IV特性曲線,進而換算其元件之光轉換效率

快速高溫製程處理機台:熱退火在冶金學或材料工程中,是一種改變材料微結構且進而改變如硬度和強度等機械性質的熱處理

快速高溫製程處理機台:熱退火在冶金學或材料工程中,是一種改變材料微結構且進而改變如硬度和強度等機械性質的熱處理

反應離子蝕刻機:蝕刻矽基材料

反應離子蝕刻機:蝕刻矽基材料

電漿輔助化學氣相沉積系統:是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術,半導體產業使用此技術來成長薄膜,主要成長SiO2和SiN薄膜

電漿輔助化學氣相沉積系統:是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術,半導體產業使用此技術來成長薄膜,主要成長SiO2和SiN薄膜